截至当前，该公司在3纳米（nm）工艺节点的技术实施中采用了多达20层的极紫外光刻（EUV）技术。这一先进的制造工艺表明了在微缩技术领域的显著进展，每一层EUV光刻都对提升芯片的集成度和性能至关重要。通过增加EUV层的数量，公司旨在优化电路设计，提高晶体管密度，进而增强其半导体产品的竞争力。