复旦大学研究团队已成功展示了亚10纳米尺度下的超快闪存技术，并验证了其在极端微缩条件下的性能稳定性。这项突破性的进展被刊载于8月12日的《自然—电子学》期刊。

该研究揭示了一种新型二维超快闪存在原子级薄层沟道的支持下，实现了20纳秒的超快速编程能力，同时保持长达10年的数据非易失性、超过十万次的循环寿命以及多态存储功能。这些特性对于下一代高性能计算及存储应用至关重要。

通过规模集成工艺的创新，研究团队不仅推进了超快闪存技术的发展，也为未来半导体产业带来了潜在的变革机会。